EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.
EPC2203

EPC2203

EPC

Opis

GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

11 205

Więcej na zamówienie

EPC2219

EPC2219

EPC

Opis

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

10 913

Więcej na zamówienie

EPC2012C

EPC2012C

EPC

Opis

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

30 101

Więcej na zamówienie

EPC2015C

EPC2015C

EPC

Opis

GANFET N-CH 40V 53A DIE

17 018

Więcej na zamówienie

EPC2010C

EPC2010C

EPC

Opis

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

12 175

Więcej na zamówienie

EPC2022

EPC2022

EPC

Opis

GANFET N-CH 100V 60A DIE

10 923

Więcej na zamówienie

EPC2014C

EPC2014C

EPC

Opis

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

29 487

Więcej na zamówienie

EPC2020

EPC2020

EPC

Opis

GANFET N-CH 60V 90A DIE

16 520

Więcej na zamówienie

EPC8009

EPC8009

EPC

Opis

GANFET N-CH 65V 2.7A DIE

13 102

Więcej na zamówienie

EPC2039

EPC2039

EPC

Opis

GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

90 115

Więcej na zamówienie

Top