EPC2012C | EPC EPC2012C | EPC2012C Inventory, Best Pricing

EPC2012C

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	EPC2012C
LIXINC Part #	EPC2012C
Producent	EPC
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	EPC2012C Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

EPC2012C Specyfikacje

Numer części:	EPC2012C
Marka:	EPC
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	EPC
seria:	eGaN®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	1.3 nC @ 5 V
vgs (maks.):	+6V, -4V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	140 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	Die Outline (4-Solder Bar)
opakowanie / etui:	Die