RQA0002DNSTB-E | Renesas Electronics America RQA0002DNSTB-E | RQA0002DNSTB-E Inventory, Best Pricing

RQA0002DNSTB-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RQA0002DNSTB-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 18 - May 22 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RQA0002DNSTB-E Specyfikacje

Numer części:	RQA0002DNSTB-E
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	16 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	102 pF @ 0 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	15W (Tc)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	2-HWSON (5x4)
opakowanie / etui:	3-DFN Exposed Pad

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015