2SK1058-E | Renesas Electronics America 2SK1058-E | 2SK1058-E Inventory, Best Pricing

2SK1058-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SK1058-E
LIXINC Part #	2SK1058-E
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SK1058-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 19 - May 23 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SK1058-E Specyfikacje

Numer części:	2SK1058-E
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	160 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±15V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	600 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	100W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3