FDN5618P_G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN5618P_G

FDN5618P_G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDN5618P_G
LIXINC Part #	FDN5618P_G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDN5618P_G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 15 - Jun 19 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDN5618P_G Specyfikacje

Numer części:	FDN5618P_G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.25A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	170mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	13.8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	430 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	500mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SuperSOT-3
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3