BUZ31L | IR (Infineon Technologies) BUZ31L | BUZ31L Inventory, Best Pricing

BUZ31L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BUZ31L
LIXINC Part #	BUZ31L
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BUZ31L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BUZ31L Specyfikacje

Numer części:	BUZ31L
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	13.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	200mOhm @ 7A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1600 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	95W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3