BSC014N04LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC014N04LSIATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC014N04LSIATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSC014N04LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC014N04LSIATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSC014N04LSIATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 20 - May 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSC014N04LSIATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSC014N04LSIATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	31A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4000 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8 FL
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN

FQI50N06LTU	MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK	2613 Więcej na zamówienie
ZVN4206AV	MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3	5901 Więcej na zamówienie
IPN50R2K0CEATMA1	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223	6535 Więcej na zamówienie
TP86R203NL,LQ	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP	2851 Więcej na zamówienie
DMT3006LFVQ-13	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	850 Więcej na zamówienie
NTMFS4923NET3G	MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN	15954 Więcej na zamówienie
PSMN1R5-25MLHX	MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33	3735 Więcej na zamówienie
SQJA02EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	992 Więcej na zamówienie
NTD4857N-1G	MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK	9356 Więcej na zamówienie
FQA70N15	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	1041 Więcej na zamówienie
BUK9614-55A,118	TRANSISTOR >30MHZ	6391 Więcej na zamówienie
PMV50UPEVL	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	899 Więcej na zamówienie
IPB80N08S406ATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2	15431 Więcej na zamówienie