AOTF3N100 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOTF3N100

AOTF3N100

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AOTF3N100
LIXINC Part #	AOTF3N100
Producent	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AOTF3N100 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AOTF3N100 Specyfikacje

Numer części:	AOTF3N100
Marka:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1000 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.8A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	830 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	38W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3F
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack