RFD3055LESM9A | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor RFD3055LESM9A

RFD3055LESM9A

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RFD3055LESM9A
LIXINC Part #	RFD3055LESM9A
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RFD3055LESM9A Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RFD3055LESM9A Specyfikacje

Numer części:	RFD3055LESM9A
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	107mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11.3 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	350 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	38W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252AA
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63