BSC010NE2LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC010NE2LSIATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC010NE2LSIATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSC010NE2LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC010NE2LSIATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSC010NE2LSIATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 19 - May 23 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSC010NE2LSIATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSC010NE2LSIATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	38A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.05mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	59 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4200 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 96W (Tc)
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-7
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN