3LN01C-TB-E | Rochester Electronics 3LN01C-TB-E | 3LN01C-TB-E Inventory, Best Pricing

3LN01C-TB-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	3LN01C-TB-E
LIXINC Part #	3LN01C-TB-E
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	3LN01C-TB-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 14 - May 18 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

3LN01C-TB-E Specyfikacje

Numer części:	3LN01C-TB-E
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	150mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.7Ohm @ 80mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	1.58 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	250mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	3-CP
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3