TP65H035WSQA | Transphorm TP65H035WSQA | TP65H035WSQA Inventory, Best Pricing

TP65H035WSQA

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TP65H035WSQA
LIXINC Part #	TP65H035WSQA
Producent	Transphorm
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TP65H035WSQA Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TP65H035WSQA Specyfikacje

Numer części:	TP65H035WSQA
Marka:	Transphorm
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Transphorm
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	47.2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	41mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1500 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	187W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3