BSC105N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 | BSC105N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC105N10LSFGATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSC105N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC105N10LSFGATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSC105N10LSFGATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSC105N10LSFGATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSC105N10LSFGATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11.4A (Ta), 90A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 110µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3900 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	156W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-1
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN

STW75NF30AG	MOSFET N-CH 300V 60A TO247	937 Więcej na zamówienie
TSM033NA04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN	5704 Więcej na zamówienie
SI2301-TP	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	2772 Więcej na zamówienie
IRFP3306PBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC	2501 Więcej na zamówienie
DMP2066LSN-7	MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3	23465 Więcej na zamówienie
STL120N2VH5	MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT	856 Więcej na zamówienie
STU3N45K3	MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK	893 Więcej na zamówienie
FQA13N80-F109	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	942 Więcej na zamówienie
SIHP15N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB	2048 Więcej na zamówienie
AOWF125A60	MOSFET N-CH 600V 28A TO262F	1903 Więcej na zamówienie
SI8413DB-T1-E1	MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT	3723 Więcej na zamówienie
TK14G65W,RQ	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK	3598 Więcej na zamówienie
RM180N100T2	MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3	892 Więcej na zamówienie