IPP020N06NAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP020N06NAKSA1 | IPP020N06NAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP020N06NAKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPP020N06NAKSA1
LIXINC Part #	IPP020N06NAKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPP020N06NAKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 20 - May 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPP020N06NAKSA1 Specyfikacje

Numer części:	IPP020N06NAKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	29A (Ta), 120A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 143µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	106 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7800 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Ta), 214W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3

IPB080N06N G	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3	1007 Więcej na zamówienie
AON7240	MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN	840 Więcej na zamówienie
FDD5810-F085	MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK	911 Więcej na zamówienie
AOD5T40P	MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252	1561 Więcej na zamówienie
HUFA75309T3ST	MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4	35302 Więcej na zamówienie
FDS86106	MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC	139078369 Więcej na zamówienie
SI3460DDV-T1-GE3	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP	3594 Więcej na zamówienie
AUIRF5210STRL	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	994 Więcej na zamówienie
NCV8440ASTT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	1576 Więcej na zamówienie
FQPF8N80C	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F	1319 Więcej na zamówienie
DMG3407SSN-7	MOSFET P-CH 30V 4A SC59	906 Więcej na zamówienie
BSS670S2LH6433XTMA1	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23	940 Więcej na zamówienie
SIHH20N50E-T1-GE3	MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8	3635 Więcej na zamówienie