IRFH8318TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH8318TRPBF | IRFH8318TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8318TRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH8318TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8318TRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH8318TRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH8318TRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH8318TRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	27A (Ta), 120A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	41 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3180 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.6W (Ta), 59W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN