XP231N0201TR-G | Torex Semiconductor Ltd. XP231N0201TR-G | XP231N0201TR-G Inventory, Best Pricing

XP231N0201TR-G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	XP231N0201TR-G
LIXINC Part #	XP231N0201TR-G
Producent	Torex Semiconductor Ltd.
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 200MA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	XP231N0201TR-G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

XP231N0201TR-G Specyfikacje

Numer części:	XP231N0201TR-G
Marka:	Torex Semiconductor Ltd.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Torex Semiconductor Ltd.
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	200mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	180 pC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	6.5 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	400mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	-
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3