BSO615NGHUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO615NGHUMA1 | BSO615NGHUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO615NGHUMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSO615NGHUMA1
LIXINC Part #	BSO615NGHUMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSO615NGHUMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 20 - May 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSO615NGHUMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSO615NGHUMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	60V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.6A
rds na (maks.) @ id, vgs:	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 20µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	20nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	380pF @ 25V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-DSO-8