EPC2105ENGRT | EPC EPC2105ENGRT | EPC2105ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2105ENGRT

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	EPC2105ENGRT
LIXINC Part #	EPC2105ENGRT
Producent	EPC
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	EPC2105ENGRT Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	May 21 - May 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

EPC2105ENGRT Specyfikacje

Numer części:	EPC2105ENGRT
Marka:	EPC
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	EPC
seria:	eGaN®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Discontinued at Digi-Key
typ fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
funkcja fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
dren do źródła napięcia (vdss):	80V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.5A
rds na (maks.) @ id, vgs:	14.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 2.5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	2.5nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	300pF @ 40V
moc - maks:	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	Die
pakiet urządzeń dostawcy:	Die