DMN2019UTS-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DMN2019UTS-13
LIXINC Part #	DMN2019UTS-13
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DMN2019UTS-13 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 02 - Jun 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DMN2019UTS-13 Specyfikacje

Numer części:	DMN2019UTS-13
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.4A
rds na (maks.) @ id, vgs:	18.5mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	950mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8.8nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	143pF @ 10V
moc - maks:	780mW
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-TSSOP