DDTC115TE-7-F | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DDTC115TE-7-F

DDTC115TE-7-F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DDTC115TE-7-F
LIXINC Part #	DDTC115TE-7-F
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DDTC115TE-7-F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jun 16 - Jun 20 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DDTC115TE-7-F Specyfikacje

Numer części:	DDTC115TE-7-F
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50 V
rezystor - baza (r1):	100 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 100µA, 1mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	250 MHz
moc - maks:	150 mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-523
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-523